關(guān)于微電子學(xué)專業(yè)最新介紹
2019-04-09 15:20:08網(wǎng)絡(luò)資源
微電子學(xué)
業(yè)務(wù)培養(yǎng)目標(biāo)：本專業(yè)培養(yǎng)掌握微電子學(xué)專業(yè)所必需的基礎(chǔ)知識、基本理論和基本實驗技能，能在微電子學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學(xué)、科技開發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理與行政管理等工作的高級專門人才。
業(yè)務(wù)培養(yǎng)要求：本專業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)微電子學(xué)的基本理論和基本知識，受到科學(xué)實驗與科學(xué)思維的基本訓(xùn)練，具有良好科學(xué)素養(yǎng)，掌握大規(guī)模集成電路及新型半導(dǎo)體器件的設(shè)計、制造及測試所必需的基本理論和方法，具有電路分析、工藝分析、器件性能分析和版圖設(shè)計等的基本能力。
主干學(xué)科：電子科學(xué)與技術(shù)
主要課程：半導(dǎo)體物理及實驗、半導(dǎo)體器件物理、集成電路設(shè)計原理、集成電路工藝原理、集成電路CAD、微電子學(xué)專業(yè)實驗和集成電路工藝實習(xí)等
主要實踐性教學(xué)環(huán)節(jié)：包括生產(chǎn)實習(xí)、畢業(yè)論文(設(shè)計)等，一般安排10～20周。
主要專業(yè)實驗：計算機(jī)輔助工藝模擬、計算機(jī)輔助版圖設(shè)計、用準(zhǔn)靜態(tài)C—V法測量SiO?2的界面態(tài)、四探針法測摻雜層的薄層電阻和MOS效應(yīng)晶體管直流特性測量等
修業(yè)年限：四年
授予學(xué)位：理學(xué)或工學(xué)學(xué)士
相近專業(yè)：電子信息科學(xué)與技術(shù)、物理學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)
開設(shè)院校：
上海大學(xué)北京大學(xué)南開大學(xué)吉林大學(xué)復(fù)旦大學(xué)華東師范大學(xué)山東大學(xué)西安電子科技大學(xué)四川大學(xué)長春理工大學(xué)蘇州大學(xué)合肥工業(yè)大學(xué)重慶郵電學(xué)院電子科技大學(xué)蘭州大學(xué)北方工業(yè)大學(xué)天津職業(yè)技術(shù)師范學(xué)院華北工學(xué)院揚州大學(xué)中山大學(xué)等
